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国星光电子公司获3项LED相关发明专利证书

来源:原创 编辑: 时间:2020-01-08 07:48
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日前,国星光电发布布告宣告全资子公司佛山市国星半导体技能有限公司(以下简称“国星半导体”)收到国家知识产权局颁布的3项创造专利证书。

布告显现,3项创造专利证书分别为:一种笔直结构LED芯片的制作办法、一种去除DBR膜层的制作办法以及一种高亮度LED芯片及其制作办法,专利期限均为20年。

来历:公司布告

国星光电表明,上述创造专利的获得不会对公司及国星半导体近期生产经营发生严重影响,但有利于国星半导体进一步完善知识产权维护系统,构成继续立异机制,提高中心竞争力。

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